学术交流会：硅基光子器件与光子集成的现状和发展趋势

余金中教授等

中国科学院半导体研究所

胡卉 教授

2014-05-30 14:30

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近年来，随着硅光子学的深入研究和进展，硅基光子集成成为国内外的热点课题。光子集成中须考虑的因素有：1，传输波长的选择：1.55和1.3微米波段具有许多优势。2，集成用的衬底：Si和SOI。3，超高速率的要求：100Gb/s。4，低功耗的要求：器件能耗~10–30fJ//b。5，集成技术的途径：CMOS工艺。Si、SiGe、SOI和Si上键合III-V族化合物等是硅基光子学的好材料，CMOS工艺为硅基光子器件的研究和发展提供了非常成熟的、坚实的技术基础。硅基光子集成必将具有非常美好的前景。本文将就集成的波段和平台、工艺技术、分立和集成的器件、集成方案与CMOS工艺兼容性等的进展、国内外硅基发光、探测和波导器件的水平与发展趋势等进行全面的介绍和深入的讨论。

报告题目：硅基光子器件与光子集成的现状和发展趋势

报告人：余金中 教授

中国科学院半导体研究所

报告时间：2014-5-30 14:30

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：硅基微腔量子点器件

报告人：夏金松 教授

华中科技大学武汉光电国家实验室

报告时间：2014-5-30 15:00

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：硅基混合集成技术及其应用

报告人：汪毅 副教授

华中科技大学武汉光电国家实验室

报告时间：2014-5-30 15:25

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：超快纳米平面电子器件

报告人：罗毅 教授

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报告时间：2014-5-30 15:50

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：SiC宽禁带半导体单晶材料及其应用

报告人：彭燕 讲师

永利集团304am官方入口晶体所报告时间：2014-5-30 16:15

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：铌酸锂单晶薄膜及其应用

报告人：胡卉 教授

3044am永利集团3044noc报告时间：2014-5-30 16:40

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

报告题目：GaN电子器件研究

报告人：林兆军 教授

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报告时间：2014-5-30 17:05

报告地点：3044am永利集团3044noc离子束报告厅

余金中博士、中国科学院半导体研究所研究员、华中科技大学教授、博士生导师。

1965年中国科学技术大学毕业，1967年中国科学院研究生毕业，1991年日本大阪大学工学博士。在美国、德国和日本工作过。现任中国科学院半导体研究所研究员和华中科技大学教授、博士生导师, 曾经在永利集团304am官方入口、厦门大学、浙江大学等高校作兼职教授。

余金中博士长期从事半导体光电子学研究，1965-1994年研究半导体激光器和低能量反应离子刻蚀，1995年以来研究硅光子学。多次任GFP（IV族光子学）国际会议先端委员会委员和2010年该国际会议的主席。先后获得国家、科学院、北京市的各种奖励,其中科学院进步二等奖和国家科技进步二等奖各两次、1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴、还获得过科学院研究生院优秀教师等奖励多次，《半导体光子学》获评中国科学院大学精品课程。在国内外先后发表学术论文400多篇、出版的书籍有《半导体光电子技术》、《硅光子学》、《信息光子学物理》等6本，指导培养了30多名博士和硕士。